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LED灯珠厂家探讨LED灯珠外延布局及外延技能

无锡艾来微电子技术有限公司探讨一下LED灯珠外延布局及外延技能研讨中的其它详细技能有:

①外表粗化技能LED灯珠外延外表粗化便是相等于改变出射角度避免出射光的全反射提超出跨过光率,因为外延材料的折射率与封装材料不同致使部分出射光将被反射回到外延层。工艺上直接关于外延外表举办处置赏罚,简单毁伤外延有源层,而且透明电极更难制作,经由进程改变外延层成长前提抵达外表粗化是可行之路。

②衬底剥离技能LED灯珠蓝宝石衬底激光剥离技能是依据GaN同质外延剥离成长的技能,欺诈紫外激光照射衬底,熔化过渡层剥离,2003年OSRAM用此工艺剥离蓝宝石,将出光率提至百分之75,是传统的3倍,并构成为了出产线。

③LED灯珠倒装芯片技能 据美国Lumileds公司数据,蓝宝石衬底的LED灯珠约增长出光率1.6倍。

④LED灯珠各个方位反射膜 除了出光正面以外,把其它面的出射光尽或许全反射回外延层内,*后提升从正面的出光率。

LED灯珠

⑤LED灯珠二维光子晶体的微布局 可提超出跨过光功率,2003年9月日本松下电器制作出了直径1.5微米,高0.5微米的凹凸光子晶体的LED灯珠,出光率前进百分之60。

衬底技能LED灯珠常常运用的芯片衬底技能线路重要有蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底三年夜类,还有研制中的氮化镓、氧化锌等。

关于衬底材料提出要求:

①LED灯珠衬底与外延膜层的化学不变性匹配,衬底材料要有好的化学不变性,在外延成长的温度以及气氛中不简单分化以及蜕化,不与外延膜孕育产生化学反映使外延膜质量下降;

② LED灯珠衬底与外延膜层的热膨胀系数匹配,热膨胀系数相差过年夜,将使外延膜成长质量下降,在器材工作进程中,还或许因为发烧而构成器材的毁坏;

③LED灯珠衬底与外延膜层的布局匹配,二者材料的晶体布局不异或者邻近,则晶格常数掉配小、结晶机能好、缺点密度低。我国LED灯珠硅衬底技能今朝取患了技能打破,正在起劲向年夜规划产业化运用成长。今朝,现已年夜量用于商品化的GaN基LED灯珠的衬底只要蓝宝石以及碳化硅衬底。其它可用于GaN基LED灯珠的衬底材料还有离产业化还有相等一段距离的GaN同质衬底、ZnO衬底。

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