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LED灯珠厂家简述led灯珠等级珠照明技能路线

led灯珠等级珠照明技能路程

LED灯珠照明技能线路包孕了外延、衬底、封装、白光LED灯珠品种等多方面。赤色、绿色、蓝色LED灯珠是由磷、砷、氮等的III-V族化合物如砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)和氮化镓(GaN)等半导体系编制成的。

LED灯珠外延led灯珠的价格技能近十多年业界经由进程改进外延成长工艺使患上位错密度获得了较年夜的改进。

但是干流白光照明用蓝光LED灯珠的氮化镓GaN与衬底间晶格以及热膨胀系数的不匹配仍致使了很高的位错密度。一直以来,经由进程研讨LED灯珠外延技能来地下降缺陷密度、前进晶体质量是LED灯珠技能寻求的方针。LED灯珠的外延片是LED灯珠的焦点部门,LED灯珠的波长、正向电压、亮度或许发光量等光电参数基本上都取决于外延片资料。


LED灯珠

外延技能以及装备是外延片制作技能的要害,金属有机物气相堆积技能(MOCVD)是成长III-led灯珠标准年夜全V族、II-VI族以及合金薄层单晶的重要办法。外延片的位错作为不发光的非辐射复合中心,关于器件的光电机能具备很是首要的影响。led灯珠等级珠照明技能旅程改进旅程LED灯珠外延布局及外延技能研讨 :

①LED灯珠惯例的成长技能包孕大批子阱宿世长低In组分的InGaN预阱开释应力,并充任载流子“蓄池塘”,再升温成长GaN垒层以前进垒层的晶体质量,成长晶格匹配的InGaAlN垒层或许成长应力互补的InGaN/AlGaN布局等。 量子阱有源区InGaN/GaN量子阱有源区是LED灯珠外延资料的焦点,成长InGaN量子阱的要害是控制量子阱的应力,减小极化效应的影响。

②始末多年的成长,LED灯珠的外延层布局以及外延技能现已比力老练,LED灯珠的内量子功率现已可达百分之90以上,红光LED灯珠的内量子功率甚至现已接近百分之100。但在年夜功率LED灯珠研讨中,发明年夜电流注入下的量子功率下降较显着,被称为Droop效应。GaN基LED灯珠的Droop效应的原因原由比力偏向因此载流子的局域化,从有源区走漏或许溢出,和俄歇复合。试验发明接收较宽的量子阱来下降载流子密度以及优化P型区的电子拦截层均可缓解Droop效应。

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